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IGBT模块
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封装

集电极发射极电压VCES min. (V)

集电极电流IC @TC=80℃ (A)

饱和压降VCE(sat)typ. (V)

最大耗散功率PD max (W)

关断能量损耗典型值Eoff typ.Tj=125℃ (mJ)

最大结-壳热阻Rth(j-c)max.(℃/W)

型号 规格书 集电极发射极电压VCES min. (V) 集电极电流IC @TC=80℃ (A) 饱和压降VCE(sat)typ. (V) 最大耗散功率PD max (W) 关断能量损耗典型值Eoff typ.Tj=125℃ (mJ) 最大结-壳热阻Rth(j-c)max.(℃/W) 封装

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